型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RU40180M

N-Channel Advanced Power MOSFET

文件:389.26 Kbytes Page:8 Pages

RUICHIPS

锐骏半导体

RU40180M

Trench MOSFET

RUICHIPS

锐骏半导体

180 W, RF Power GaN HEMT

Description Wolfspeed's CGH40180PP is an unmatched, gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor (HEMT). The CGH40180PP, operating from a 28 volt rail, offers a general purpose, broadband solution to a variety of RF and microwave applications. GaN HEMTs offer high efficiency, high

WOLFSPEED

Tone Generator and Amplifier Probe Kit

文件:200.83 Kbytes Page:1 Pages

EXTECH

180 W, RF Power GaN HEMT

文件:2.16827 Mbytes Page:13 Pages

Cree

科锐

180 W, RF Power GaN HEMT

文件:2.16827 Mbytes Page:13 Pages

Cree

科锐

180 W, RF Power GaN HEMT

文件:2.16827 Mbytes Page:13 Pages

Cree

科锐

更新时间:2025-11-18 10:40:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
TO-220
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RUICHIPS
2223+
TO220
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
Ruichip
23+
TO-220
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
TO-263
3200
原装长期供货!
RU
18+
TO-220
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
锐俊
24+
NA/
8578
原厂直销,现货供应,账期支持!
24+
N/A
54000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
锐俊
TO-3P
22+
6000
十年配单,只做原装
锐俊RUICHIP
25+23+
TO-263
18510
绝对原装正品全新进口深圳现货

RU40180M数据表相关新闻

  • RU40191S

    RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S,漏源电压VDSS为40V,栅源电压VGSS为±20V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ(@VGS=10V,IDS=75A)。

    2022-11-23
  • RU40120M

    RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管 RU40120M N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA N 沟道,40V,120A,2.7mΩ@10V RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOS

    2022-11-23
  • RU3560L

    RU3560L,场效应管(MOSFET)

    2022-6-12
  • RU40C40L4

    RU40C40L4,全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ:1755232575 /QQ:1157611585,微信号:87680558.

    2021-2-20
  • RU40280R

    RU40280R,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-1
  • RU40120R

    RU40120R ,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-12-1