RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET
RU40191S,漏源电压VDSS为40V,栅源电压VGSS为±20V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ(@VGS=10V,IDS=75A)。
特点:
漏源电压40V,连续漏极电流190A
RDS(ON)=1.8mΩ(Typ)@VGS=10V
超高密度单元设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
无铅和器件绿色环保(符合RoHS)
应用:
DC-DC转换器和离线式UPS
开关应用