RU40191S

发布企业:深圳市晨豪科技有限公司时间:2022-11-23 9:29:00

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RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S,漏源电压VDSS为40V,栅源电压VGSS为±20V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ(@VGS=10V,IDS=75A)。

RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET

RU40191S,漏源电压VDSS为40V,栅源电压VGSS为±20V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A(VGS=10V),漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ(@VGS=10V,IDS=75A)。

特点:

漏源电压40V,连续漏极电流190A

RDS(ON)=1.8mΩ(Typ)@VGS=10V

超高密度单元设计

超低导通电阻

100%雪崩测试

无铅和器件绿色环保(符合RoHS)

应用:

DC-DC转换器和离线式UPS

开关应用

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel Advanced Power MOSFET

RUICHIPSRuichips Semiconductor Co., Ltd

锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司

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