发布企业：深圳市晨豪科技有限公司时间：2022-11-23 9:29:00
企业：深圳市晨豪科技有限公司
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RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET
RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
特点：
漏源电压40V，连续漏极电流190A
RDS(ON)=1.8mΩ(Typ)@VGS=10V
超高密度单元设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
无铅和器件绿色环保（符合RoHS）
应用：
DC-DC转换器和离线式UPS
开关应用
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
N-Channel Advanced Power MOSFET | RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司 |   |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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