RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管
RU40120M N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA N 沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V
RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOSFET RU40120M，漏源电压VDS为40V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A（VGS=10V）。
特点：
40V，120A，RDS(ON)=2.7mΩ(Typ)@VGS=10V
超高密度单元设计
超低导通电阻
快速开关速度
100%雪崩测试
无铅和器件绿色环保（符合RoHS）
应用：
DC-DC转换器
电源
