发布企业：深圳市晨豪科技有限公司时间：2022-11-23 9:29:00
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RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管
RU40120M N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA N 沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V
RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOSFET RU40120M，漏源电压VDS为40V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A（VGS=10V）。
特点：
40V，120A，RDS(ON)=2.7mΩ(Typ)@VGS=10V
超高密度单元设计
超低导通电阻
快速开关速度
100%雪崩测试
无铅和器件绿色环保（符合RoHS）
应用：
DC-DC转换器
电源
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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N-Channel Advanced Power MOSFET | RUICHIPSShenzhen City Ruichips Semiconductor Co., Ltd 锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司 |   | ||
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120 W, RF Power GaN HEMT | WOLFSPEED WOLFSPEED, INC. | | ||
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| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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RU40120M | 源盛发YUANSHENGFA | 24+ | DFN5X6 | 7800 | 全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈 | ||
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