RU40120M

发布企业:深圳市晨豪科技有限公司时间:2022-11-23 9:29:00

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RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管 RU40120M N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA N 沟道,40V,120A,2.7mΩ@10V RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOS

RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管

RU40120M N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA N 沟道,40V,120A,2.7mΩ@10V

RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOSFET RU40120M,漏源电压VDS为40V,TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A(VGS=10V)。

特点:

40V,120A,RDS(ON)=2.7mΩ(Typ)@VGS=10V

超高密度单元设计

超低导通电阻

快速开关速度

100%雪崩测试

无铅和器件绿色环保(符合RoHS)

应用:

DC-DC转换器

电源

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

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锐骏半导体深圳锐骏半导体股份有限公司

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