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RU3Y	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
RU3YX	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
RU3YX	Fast-Recovery Rectifier Diodes 100V-600V1.5A-2.0A RU3M/3AMRU3YXRU30series	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司
RU3YX	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER 100V-1000V1.1A-2.0A FEATURES ♦Lowcost ♦Diffusedjunction ♦Lowleakage ♦Lowforwardvoltagedrop ♦Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents ♦TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司
RU3YX	HIGH EFFICIENCY RECTIFIERS FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0 ◇Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents	DSK Diode Semiconductor Korea
RU3YX	HIGH EFFICENCY RECTIFIER DIODES CURRENT:1.1-2.0AVOLTAGERANGE:100-1000V Features •Lowcost •Diffusedjunction •Lowleakage •Lowforwardvoltagedrop •Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents •TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司
RU3YXZ	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
RU3YXZ	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER 100V-1000V1.1A-2.0A FEATURES ♦Lowcost ♦Diffusedjunction ♦Lowleakage ♦Lowforwardvoltagedrop ♦Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents ♦TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	TAYCHIPSTShenzhen Taychipst Electronic Co., Ltd 泰迪斯电子深圳市泰迪斯电子科技有限公司
RU3YZ	HIGH EFFICIENCY RECTIFIER FEATURES ◇Lowcost ◇Diffusedjunction ◇Lowleakage ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easilycleanedwithfreon,alcohol,lsopropandandsimilarsolvents ◇TheplasticmaterialcarriesU/Lrecognition94V-0	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司
RU3YX	1.1-2A 100V Fast recovery diode 文件：301.171 Kbytes Page：2 Pages	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司
RU3YX	HIGH EFFICENCY RECTIFIER DIODES 文件：301.171 Kbytes Page：2 Pages	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司
RU3YX	Fast-Recovery Rectifier Diodes 文件：23.57 Kbytes Page：1 Pages	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社
RU3YX	FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES 文件：63.4 Kbytes Page：2 Pages	EIC EIC discrete Semiconductors
RU3YX	FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE 文件：78.56 Kbytes Page：2 Pages	EIC EIC discrete Semiconductors
RU3YX	High Efficiency Rectifiers 文件：1.54582 Mbytes Page：2 Pages	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司
RU3YX_V01	FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE 文件：78.56 Kbytes Page：2 Pages	EIC EIC discrete Semiconductors

RU3Y产品属性

类型
描述
型号
RU3Y
制造商
BILIN
制造商全称
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
功能描述
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER

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更新时间：2025-8-4 22:34:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	RU40120M	RUICHIPS	20+	DFN56	32550	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	RU40120M-A	Ruichip	24+	QFN5*6	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	RU40120M	锐骏品牌	1948+	DFN5060	18562	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市嵩宏达科技有限公司	RU3YTVS二极管	VISHAY/威世	24+	DO-15	50000	全新原装,一手货源,全场热卖!	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	RU3Y	VISHAY/威世	21+	DO-15	30000	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	RU3Y	VISHAYMAS	25+23+	DO-15	25208	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市中联芯电子有限公司	RU40120M	源盛发YUANSHENGFA	24+	DFN5X6	7800	全新原厂原装正品现货,低价出售,实单可谈	询价
深圳市星佑电子有限公司	RU3YX	SANKEN	05+	原厂原装	1051	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市赛美科科技有限公司	RU3Y	SANKEN		TP	56520	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市一线半导体有限公司	RU3Y		24+		1300	真实现货库存	询价

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RU40191S40V190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU40120M
RU40120MN沟道40V120APDFN5060场效应管 RU40120MN沟道漏源电压(Vdss)：40V连续漏极电流(Id)：120A功率(Pd)：96W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uAN沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M封装:PDFN5060N沟道高级功率MOS
2022-11-23
RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12
RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
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RU3415B，SOT23，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.QQ：1755232575/QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU40120R
RU40120R，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1

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