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芯片资料

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RU3YX_V01	FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE 文件：78.56 Kbytes Page：2 Pages	EIC EIC discrete Semiconductors

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更新时间：2025-8-5 22:58:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	RU40120M	RUICHIPS	20+	DFN56	32550	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	RU40120M-A	Ruichip	24+	QFN5*6	80000	只做自己库存全新原装进口正品假一赔百可开13%增	询价
深圳市威雅利发展有限公司	RU40120M	锐骏	21+	PDFN5060	76000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	RU40120M	锐骏品牌	1948+	DFN5060	18562	只做原装正品现货!或订货假一赔十!	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	RU40120M	RUICHIPS	24+	DFN5060	60000	原装现货	询价
深圳市凯睿晟科技有限公司	RU3Z	VISHAY/威世	21+	DO-15	30000	百域芯优势实单必成可开13点增值税	询价
深圳市创新迹电子有限公司	RU40120M	RUICHIPS	2022+	DFN56	30000	进口原装现货供应,原装假一罚十	询价
深圳市锦喆鸿电子有限公司	RU40120R	Ruichip	21+	TO-220	12588	原装正品,自己库存假一罚十	询价
深圳市华斯顿科技有限公司	RU3Z	VISHAYMAS	25+23+	DO-15	51685	绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货	询价
深圳市赛美科科技有限公司	RU40120M	RUICHIPS		DFN56	67430	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价

RU40191S
RU40191S 40V 190AN沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
2022-11-23
RU40120M
RU40120M N沟道 40V 120A PDFN5060 场效应管 RU40120M N沟道漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：96W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,60A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA N 沟道，40V，120A，2.7mΩ@10V RU40120M 封装:PDFN5060 N沟道高级功率MOS
2022-11-23
RU3560L
RU3560L，场效应管(MOSFET)
2022-6-12
RU3415BC
RU3415BC，SOT23-3，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU3415B
RU3415B，SOT23，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取. QQ：1755232575 /QQ：1157611585，微信号:87680558.
2021-2-17
RU40120R
RU40120R ，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
2019-12-1