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SiliconN-ChannelMOSFET

Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SiliconN-ChannelMOSFET

Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)

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SiliconN-ChannelMOSFET

Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)

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Features •HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting •ElectrostaticDischargeImmunityTest (IECStandard,61000-4-2,Level4)

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SiliconN-ChannelMOSFET

Features •HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) •Compactpackagecapableofsurfacemounting •ElectrostaticDischargeImmunityTest (IECStandard,61000-4-2,Level4)

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RENESAS

封装/外壳:TO-243AA 包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

ETC

知名厂家

SiliconN-ChannelMOSFET

文件:223.23 Kbytes Page:22 Pages

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

封装/外壳:TO-243AA 包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

ETC

知名厂家

SiliconN-ChannelMOSFET

文件:223.46 Kbytes Page:22 Pages

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SiliconN-ChannelMOSFET

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RENESAS

PhotoelectricSensors

BFBM18M-001-P-S4 Basicfeatures Approval/ConformityCE UKCA cULus WEEE BasicstandardIEC60947-5-2 PrincipleofoperationPhotoelectricsensor Series18M StyleCylinder,straightoptics

BalluffBalluff Korea Ltd.

巴鲁夫巴鲁夫集团

Balluff

FlybackTransformer

文件:149.64 Kbytes Page:1 Pages

COILCRAFTCoilcraft lnc.

线艺美国线艺公司

COILCRAFT

SURFACE-MOUNTBROADBANDBALUN

文件:784.97 Kbytes Page:9 Pages

MARKIMICROWAVEMarki Microwave

马基马基微波

MARKIMICROWAVE

HIGHPOWERSURFACE-MOUNTBALUN

文件:757.3 Kbytes Page:9 Pages

MARKIMICROWAVEMarki Microwave

马基马基微波

MARKIMICROWAVE

FlowSensors

文件:95.34 Kbytes Page:2 Pages

BalluffBalluff Korea Ltd.

巴鲁夫巴鲁夫集团

Balluff

RQA0009产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RQA0009

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N-Channel MOS FET

更新时间:2025-7-22 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESASA
24+
NA/
714
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESASA
22+
SOT-89
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESASA
23+
SOT-89
280000
100%原装现货
RENESAS/瑞萨
24+
SOT-89
505348
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
RENESAS/瑞萨
21+
HWSON-2
5000
优势供应 实单必成 可开增值税13点
RENESASA
24+
SOT-89
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
25+23+
QFN
17962
绝对原装正品全新进口深圳现货
RENESASA
23+
SOT-89
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
RENESASA
23+
SOT-89
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESASA
18+
SOT-89
898
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力

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