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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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RQA0009SXTL-E | Silicon N-Channel MOS FET Features High Output Power, High Gain, High Efficiency Pout = +37.8 dBm, Linear Gain = 18 dB, PAE = 65 (VDS = 6 V, f = 520 MHz) Compact package capable of surface mounting Electrostatic Discharge Immunity Test (IEC Standard, 61000-4-2, Level4) | RENESAS 瑞萨 |   | |
RQA0009SXTL-E | Silicon N-Channel MOS FET | RENESAS 瑞萨 | | |
Photoelectric Sensors BFB M18M-001-P-S4 Basic features Approval/Conformity CE UKCA cULus WEEE Basic standard IEC 60947-5-2 Principle of operation Photoelectric sensor Series 18M Style Cylinder, straight optics | Balluff 巴鲁夫 | | ||
Flyback Transformer 文件：149.64 Kbytes Page：1 Pages | COILCRAFT | | ||
SURFACE-MOUNT BROADBAND BALUN 文件：784.97 Kbytes Page：9 Pages | MARKIMICROWAVE | | ||
HIGH POWER SURFACE-MOUNT BALUN 文件：757.3 Kbytes Page：9 Pages | MARKIMICROWAVE | | ||
Flow Sensors 文件：95.34 Kbytes Page：2 Pages | Balluff 巴鲁夫 | |
RQA0009SXTL-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
RQA0009SXTL-E
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N-Channel MOS FET
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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