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RQA0009SXAQS

SiliconN-ChannelMOSFET

Features HighOutputPower,HighGain,HighEfficiency Pout=+37.8dBm,LinearGain=18dB,PAE=65 (VDS=6V,f=520MHz) Compactpackagecapableofsurfacemounting ElectrostaticDischargeImmunityTest(IECStandard,61000-4-2,Level4)

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

封装/外壳:TO-243AA 包装:卷带(TR) 描述:MOSFET N-CH 16V 3.2A UPAK 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

ETC

知名厂家

SiliconN-ChannelMOSFET

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RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

PhotoelectricSensors

BFBM18M-001-P-S4 Basicfeatures Approval/ConformityCE UKCA cULus WEEE BasicstandardIEC60947-5-2 PrincipleofoperationPhotoelectricsensor Series18M StyleCylinder,straightoptics

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BalluffBalluff Korea Ltd.

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Balluff

RQA0009SXAQS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RQA0009SXAQS

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N-Channel MOS FET

更新时间:2025-7-21 18:15:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
1836+
SOT-89
9852
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