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RJP60D0DPP-M0-T2

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Features  Short circuit withstand time (5 s typ.)  Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.6 V typ. (IC= 22 A, VGE= 15 V, Ta = 25°C)  Gate to emitter voltage rating 30 V  Pb-free lead plating

RENESAS

瑞萨

RJP60D0DPP-M0-T2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP60D0DPP-M0-T2

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-11-25 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
24+
TO-220F
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
Renesas
22+
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9000
原厂渠道,现货配单
RENESAS
25+
LDPAKS
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
RENESAS
24+
TO-220F
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
原厂封装
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原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
2023+
TO-220F
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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