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RJP60D0DPK-00-T0

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Shortcircuitwithstandtime(5styp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(IC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Gatetoemittervoltagerating30V Pb-freeleadplatingan

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瑞萨瑞萨科技有限公司

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SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter

Features •Shortcircuitwithstandtime(5μstyp.) •Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.6Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) •Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage •Trenchgateandthinwafertechnology •Highspeedswitching tf=

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更新时间:2025-8-3 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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