型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJP6065DPM

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

* Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.8 V typ. (IC= 40 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)  * Gate to emitter voltage rating 30 V * Pb-free lead plating and chip bonding

RENESAS

瑞萨

RJP6065DPM

Silicon N-Channel IGBT High Speed Power Switching / TO-3PFM Package

RENESAS

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

SINGLE POLE, SIX THROW 6065 SURFACE MOUNT SWITCH

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RJP6065DPM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP6065DPM

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
8250
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
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07+
TO-220
492
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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22+
TO-220
3000
原装正品,支持实单
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25+
TO-220
210
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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TO-3PF
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受权代理!全新原装现货特价热卖!
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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NA
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESAS
2023+
TO-3PF
8800
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