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RJP6065DPM中文资料

厂家型号

RJP6065DPM

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8

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJP6065DPM数据手册规格书PDF详情

* Low collector to emitter saturation voltage

VCE(sat)= 1.8 V typ. (IC= 40 A, VGE= 15V, Ta = 25°C)

* Gate to emitter voltage rating 30 V

* Pb-free lead plating and chip bonding

RJP6065DPM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP6065DPM

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-14 14:03:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2023+
TO-3PF
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
25+
TO-3PF
35400
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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原装进口公司现货假一赔百
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25+
TO-220
210
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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NA/
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优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
RENESAS
22+
TO-220
3000
原装正品,支持实单
RENESAS
07+
TO-220
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS/瑞萨
22+
TO-220
100000
代理渠道/只做原装/可含税