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Trench gate and thin wafer technology

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RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

Features ● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series) ● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 1.4 V typ ● High speed switching: tf = 100 ns typ, tf = 180 ns typ ● Low leak current: ICES = 1 A max

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RJP30H2DPK产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP30H2DPK

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High speed power switching

更新时间:2025-12-23 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
18+
TO-263
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
RENESAS
20+
TO-3P
335
进口原装现货,假一赔十
RENESAS/瑞萨
23+
TO-263
89630
当天发货全新原装现货
RENESAS
2023+
TO-3P
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS
23+
SOT-263
8650
受权代理!全新原装现货特价热卖!
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
13050
原厂直销,现货供应,账期支持!
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
7643
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS
24+
TO-263
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
RENESAS
24+
STO263-3
25000
一级专营品牌全新原装热卖

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