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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RJL6013DPE-00-J3 | N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.10606 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 |   | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.58 Ω typ. (at ID = 5.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET 文件：1.10601 Mbytes Page：10 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
更新时间：2025-10-24 15:25:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SANYO |
25+ |
TO-TO-220F |
12300 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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R |
22+ |
TO263 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
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ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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24+ |
N/A |
46000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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R |
24+ |
TO-220F |
5000 |
只做原装公司现货 |
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