型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJK6013DPE-00-J3

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.58 Ω typ. (at ID = 5.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25°C) • Low leakage current • High speed switching

RENESAS

瑞萨

RJK6013DPE-00-J3

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

N-Channel 650V (D-S)Power MOSFET

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微碧半导体

RJK6013DPE-00-J3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK6013DPE-00-J3

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-23 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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