型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
RJK2017DPE

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on) = 0.036 Ω typ. (at ID = 22.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C) • Low leakage current • High speed switching

RENESAS

瑞萨

RJK2017DPE

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RENESAS

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RJK2017DPE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK2017DPE

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-11-27 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
3618
原厂直销,现货供应,账期支持!
RENESAS(瑞萨)/IDT
24+
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
RENESAS
2016+
TO-263
9000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
RENESAS/瑞萨
22+
SOT-263
100000
代理渠道/只做原装/可含税
RENESAS(瑞萨)/IDT
20+
-
1000
RENESAS
10+
TO-263
4180
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
2511
TO-263
125
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
RENESAS
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
RENESAS
24+
TO-263
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
2023+
TO-263
8800
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