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RJK2017DPE中文资料

厂家型号

RJK2017DPE

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7

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJK2017DPE数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance RDS(on) = 0.036 Ω typ. (at ID = 22.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C)

• Low leakage current

• High speed switching

RJK2017DPE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK2017DPE

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2025-10-8 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
22+
TO-263-2
6000
十年配单,只做原装
RENESAS
2023+
TO-263
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
RENESAS
23+
TO-263
125
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
20+
TO-263
125
进口原装现货,假一赔十
RENESAS
24+
TO-263
16900
原装正品现货支持实单
RENESAS
2511
TO-263
125
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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24+
TO-263-2
28600
一级代理/全新现货/长期供应!
RENESAS
25+
TO-263
8800
公司只做原装,详情请咨询
RENESAS/瑞萨
25+
TO-263-2
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