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RJK2017DPE中文资料

厂家型号

RJK2017DPE

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7

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJK2017DPE数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance RDS(on) = 0.036 Ω typ. (at ID = 22.5 A, VGS = 10 V, Ta = 25 °C)

• Low leakage current

• High speed switching

RJK2017DPE产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK2017DPE

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2026-2-6 10:37:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
2016+
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9000
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全新原装正品现货,支持订货
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8800
公司只做原装,详情请咨询
RENESAS
24+
TO-263
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原装正品现货支持实单