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RJK03N8DNS

SiliconNChannelPowerMOSFETwithSchottkyBarrierDiodePowerSwitching

Features •Highspeedswitching •Capableof4.5Vgatedrive •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting •Lowon-resistance RDS(on)=4.6mΩtyp.(atVGS=8.0V) •Pb-free •Halogen-free

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES 800V,2.5A,RDS(ON)=4.8W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Lead-freeplating;RoHScompliant.

CET-MOSCET-MOS Technology Corp.

华瑞华瑞功率电子股份有限公司

CET-MOS

N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor

FEATURES TypeVDSSRDS(ON)ID@VGS CEP03N8800V4.8Ω3A10V CEF03N8800V4.8Ω3A10V CEB03N8800V4.8Ω3A10V ​​​​​​​ ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurre

CETChino-Excel Technology

华瑞华瑞股份有限公司

CET
更新时间:2025-5-20 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
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专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553
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