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Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

Features • High speed switching • Capable of 4.5 V gate drive • Low drive current • High density mounting • Low on-resistance • Pb-free • Halogen-free

RENESAS

瑞萨

Mechanical Cam Switches

BNS 816-B05-PA-12-602-11-S90R Basic features Approval/Conformity CE UKCA CCC WEEE Basic standard IEC 60947-5-2 DIN switch DIN 43697 Operating principle 1-5. Switch position: Inductive Version Inductive

Balluff

巴鲁夫

Global Limit Switches

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Honeywell

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Honeywell

霍尼韦尔

更新时间:2025-10-23 20:00:01
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