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RJK03A4DPA中文资料

厂家型号

RJK03A4DPA

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功能描述

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJK03A4DPA数据手册规格书PDF详情

Features

• High speed switching

• Capable of 4.5 V gate drive

• Low drive current

• High density mounting

• Low on-resistance

• Pb-free

• Halogen-free

RJK03A4DPA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJK03A4DPA

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching

更新时间:2025-10-7 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS/瑞萨
22+
WPAK
6000
十年配单,只做原装
RENESAS/瑞萨
23+
WPAK
11200
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
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6000
原装正品,支持实单
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当天发货全新原装现货
RENESAS(瑞萨)/IDT
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3000
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