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RJH30E2

SiliconNChannelIGBTHighspeedpowerswitching

Features ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6H-IIseries) ●Highspeedswitching:tr=80nstyp.,tf=150nstyp. ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage:VCE(sat)=1.5Vtyp. ●Lowleakcurrent:ICES=1μAmax. ●Built-inFastRecoveryDiode:VF=1.4Vtyp.,trr=23nstyp.

RENESASRenesas Technology Corp

瑞萨瑞萨科技有限公司

RENESAS

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

1.Trenchgatetechnology(G5Hseries) 2.LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.7Vtyp 3.Highspeedswitchingtf=150nstyp 4.LowleakcurrentICES=1μAmax 5.IsolatedpackageTO-220FL

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RENESAS

MEDIUMPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE

MEDIUMPOWERSWITCHINGUSEINSULATEDTYPE •ICCollectorcurrent..........................30A •VCEXCollector-emittervoltage.........1000V •hFEDCcurrentgain...............................75 •InsulatedType •ULRecognizedYellowCardNo.E80276(N)FileNo.E80271 APPLICATION

MitsubishiMitsubishi Electric Semiconductor

三菱电机三菱电机株式会社

Mitsubishi

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

1.Trenchgatetechnology(G5Hseries) 2.LowcollectortoemittersaturationvoltageVCE(sat)=1.7Vtyp 3.Highspeedswitchingtf=150nstyp 4.LowleakcurrentICES=1μAmax 5.IsolatedpackageTO-220FL

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RENESAS

Non-IsolatedDC-DCConverter

文件:754.36 Kbytes Page:22 Pages

bel

Bel Fuse Inc.

bel
更新时间:2025-7-25 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
9048
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
RENESAS/瑞萨
24+
NA/
3275
原厂直销,现货供应,账期支持!
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS/瑞萨
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RENESAS
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8560
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RENESAS/瑞萨
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TO220F
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