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RJP30E2中文资料

厂家型号

RJP30E2

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7

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

RJP30E2数据手册规格书PDF详情

1. Trench gate technology (G5H series)

2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ

3. High speed switching tf = 150 ns typ

4. Low leak current ICES= 1 μA max

5. Isolated package TO-220FL

RJP30E2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP30E2

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-5-8 16:47:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
23+
PBFREE
5000
全新原装,现货热卖。
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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24+
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只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 113639条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为