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RJP30E2中文资料

厂家型号

RJP30E2

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7

功能描述

Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJP30E2数据手册规格书PDF详情

1. Trench gate technology (G5H series)

2. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)= 1.7 V typ

3. High speed switching tf = 150 ns typ

4. Low leak current ICES= 1 μA max

5. Isolated package TO-220FL

RJP30E2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RJP30E2

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

更新时间:2025-9-26 16:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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