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RJH30E2中文资料

厂家型号

RJH30E2

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7

功能描述

Silicon N Channel IGBT High speed power switching

数据手册

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生产厂商

RENESAS

RJH30E2数据手册规格书PDF详情

Features

● Trench gate and thin wafer technology (G6H-II series)

● High speed switching: tr =80 ns typ., tf = 150 ns typ.

● Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat)= 1.5 V typ.

● Low leak current: ICES = 1 μA max.

● Built-in Fast Recovery Diode: VF = 1.4 V typ., trr = 23 ns typ.

● Isolated package: TO-220FL

更新时间:2026-3-4 16:25:00
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