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位置：首页 > IC中文资料第2148页 > RFP2N10L

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
RFP2N10L

2A,80Vand100V,1.050Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs

TheRFP2N08LandRFP2N10LareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorsspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedth

IntersilIntersil Corporation

瑞萨电子瑞萨电子株式会社

Intersil
RFP2N10L

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

文件：938.32 Kbytes Page：7 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI
EMBA2N10A

N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor

ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)125mΩ ID14A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree

EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp.

杰力科技杰力科技股份有限公司

EXCELLIANCE
F2N10A

N-ChannelEnhancementMOSFET

Features •VDS=100V,ID=2A •RDS(ON)=220mΩ@VGS=10V(Typ.) •RDS(ON)=240mΩ@VGS=4.5V(Typ.) •HighPowerandcurrenthandingcapability •Leadfreeproductisacquired •SurfaceMountPackage MainApplications •BatteryProtection •LoadSwitch •PowerManagement

GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd .

唯聖電子唯聖電子有限公司

GWSEMI
2N10L

DrainCurrentID=2A@TC=25C

文件：65.05 Kbytes Page：2 Pages

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
FIR2N10LTG

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：3.42734 Mbytes Page：7 Pages

FOSTERShenzhen Foster Semiconductor Co., Ltd.

福斯特半导体深圳市福斯特半导体有限公司

FOSTER
HM2N10

N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET

文件：357.81 Kbytes Page：6 Pages

HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd

华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司

HMSEMI

RFP2N10L产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFP2N10L

  • 功能描述

    MOSFET TO-220AB N-Ch Power

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

RFP2N10L供应商更多...

更新时间：2024-6-24 11:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市百视威讯电子科技有限公司
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RFP2N10L
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TO2203
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