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RFLW3N

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030 x 0.030

FEATURES • High frequency • Wire bond assembly • Small size: 0.030 x 0.030 x 0.020 • Low DCR, high Q • Low parasitic capacitance, high SRF • Equivalent circuit model enclosed • S parameter files available for download • Sample kit available • Material categorization: for definitions of co

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RFLW3N

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor

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RFLW3N_V01

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030 x 0.030

FEATURES • High frequency • Wire bond assembly • Small size: 0.030 x 0.030 x 0.020 • Low DCR, high Q • Low parasitic capacitance, high SRF • Equivalent circuit model enclosed • S parameter files available for download • Sample kit available • Material categorization: for definitions of co

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RFLW3N1100B

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030 x 0.030

FEATURES • High frequency • Wire bond assembly • Small size: 0.030 x 0.030 x 0.020 • Low DCR, high Q • Low parasitic capacitance, high SRF • Equivalent circuit model enclosed • S parameter files available for download • Sample kit available • Material categorization: for definitions of co

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RFLW3N2000B

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030 x 0.030

FEATURES • High frequency • Wire bond assembly • Small size: 0.030 x 0.030 x 0.020 • Low DCR, high Q • Low parasitic capacitance, high SRF • Equivalent circuit model enclosed • S parameter files available for download • Sample kit available • Material categorization: for definitions of co

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RFLW3N2000BMNWS

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030 x 0.030

FEATURES • High frequency • Wire bond assembly • Small size: 0.030 x 0.030 x 0.020 • Low DCR, high Q • Low parasitic capacitance, high SRF • Equivalent circuit model enclosed • S parameter files available for download • Sample kit available • Material categorization: for definitions of co

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RFLW3N3000B

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030 x 0.030

FEATURES • High frequency • Wire bond assembly • Small size: 0.030 x 0.030 x 0.020 • Low DCR, high Q • Low parasitic capacitance, high SRF • Equivalent circuit model enclosed • S parameter files available for download • Sample kit available • Material categorization: for definitions of co

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RFLW3N3900C

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030 x 0.030

FEATURES • High frequency • Wire bond assembly • Small size: 0.030 x 0.030 x 0.020 • Low DCR, high Q • Low parasitic capacitance, high SRF • Equivalent circuit model enclosed • S parameter files available for download • Sample kit available • Material categorization: for definitions of co

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RFLW3N6700C

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030 x 0.030

FEATURES • High frequency • Wire bond assembly • Small size: 0.030 x 0.030 x 0.020 • Low DCR, high Q • Low parasitic capacitance, high SRF • Equivalent circuit model enclosed • S parameter files available for download • Sample kit available • Material categorization: for definitions of co

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RFLW3N9000C

High Frequency Wire Bondable RF Spiral Inductor, 0.030 x 0.030

FEATURES • High frequency • Wire bond assembly • Small size: 0.030 x 0.030 x 0.020 • Low DCR, high Q • Low parasitic capacitance, high SRF • Equivalent circuit model enclosed • S parameter files available for download • Sample kit available • Material categorization: for definitions of co

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RFLW3N产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    RFLW3N

  • 制造商

    Vishay Semiconductors

RFLW3N供应商更多...

更新时间：2026-3-2 9:56:00
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