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InternallyClampedN-ChannelIGBT

InternallyClampedN-ChannelIGBT ThisLogicLevelInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT)featuresmonolithiccircuitryintegratingESDandOver–Voltageclampedprotectionforuseininductivecoildriversapplications.PrimaryusesincludeIgnition,DirectFuelInjection,orwhereverhighvolt

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

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N-ChannelEnhancementModesiliconGateTMOS

TMOSPOWERFETs15AMPERES rDS(on)=0.3OHM350and400VOLTS N-ChannelEnhancementModesiliconGateTMOS

MotorolaMotorola, Inc

摩托罗拉

Motorola

IgnitionIGBT15Amps,350VoltsN-ChannelTO-220andD2PAK

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更新时间:2024-6-23 17:08:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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TO-218
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ON/安森美
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TO-3P
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只做原装进口现货,专注配单
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TO-3P
35400
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证
ON/安森美
23+
TO-3P
10000
公司只做原装正品

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