型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MGP15N35CL

Internally Clamped N-Channel IGBT

Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt

ONSEMI

安森美半导体

MGP15N35CL

Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

文件:250.45 Kbytes Page:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

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ONSEMI

安森美半导体

Internally Clamped N-Channel IGBT

Internally Clamped N-Channel IGBT This Logic Level Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) features monolithic circuitry integrating ESD and Over–Voltage clamped protection for use in inductive coil drivers applications. Primary uses include Ignition, Direct Fuel Injection, or wherever high volt

ONSEMI

安森美半导体

N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS

TMOS POWER FETs 15 AMPERES rDS(on) = 0.3 OHM 350 and 400 VOLTS N-Channel Enhancement Mode silicon Gate TMOS

Motorola

摩托罗拉

Ignition IGBT 15 Amps, 350 Volts N-Channel TO-220 and D2PAK

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安森美半导体

MGP15N35CL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MGP15N35CL

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 15A 350V Ignition

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-2 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
TO-220
8000
只做原装现货
ON
23+
TO-220
7000
ON/安森美
22+
TO
6000
十年配单,只做原装
ON
24+
90000
ON/安森美
23+
TO
13000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
JINGDAO/晶导微
23+
SOD-123FL
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
ON(安森美)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
ON
24+
原厂封装
65250
支持样品,原装现货,提供技术支持!
ON/安森美
22+
TO
94768
ON/安森美
23+
TO-220
89630
当天发货全新原装现货

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