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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS1 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications. FEATURES High power gain: Pout>0.8W, Gp>14dB @Vdd=7.2V,f=520MHz High Efficiency: 65typ. APPLICATION For output stage of high power amplifiers in VHF/UHF Band mobile | MITSUBISHI 三菱电机 |   | ||
Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS2 is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications. This device has an internal monolithic zener diode from gate to source for ESD protection. FEATURES • High power gain: Pout>0.8W, Gp>14dB @Vdd=7.2V,f=520MHz • High Efficiency: 6 | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 527MHz,1W DESCRIPTION RD01MUS2B is a MOS FET type transistor specifically designed for VHF/UHF RF amplifiers applications. This device has an internal monolithic zener diode from gate to source for ESD protection. FEATURES • High power gain and High Efficiency. Pout 1.6W Typ, Gp 15dBTyp, 70Typ @Vdd= | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：203.96 Kbytes Page：7 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：394.32 Kbytes Page：7 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
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RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：394.32 Kbytes Page：7 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
Silicon MOSFET Power Transistor 文件：239.53 Kbytes Page：6 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS2 | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：209.9 Kbytes Page：7 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：419.82 Kbytes Page：7 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
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RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W 文件：419.82 Kbytes Page：7 Pages | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
Silicon MOSFET Power Transistor 文件：254.92 Kbytes Page：6 Pages | JMNIC 锦美电子 | | ||
High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS2B | MITSUBISHI 三菱电机 | | ||
High Frequency Devices-Silicon RF Devices RF High Power MOS FETs (Discrete) RD01MUS3 | MITSUBISHI 三菱电机 | |
RD01MUS产品属性
- 类型
描述
- 型号
RD01MUS
- 制造商
MITSUBISHI
- 制造商全称
Mitsubishi Electric Semiconductor
- 功能描述
RoHS Compliance, Silicon MOSFET Power Transistor 520MHz,1W
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MITSUBIS |
10+ |
SOT89 |
6000 |
原装现货价格有优势量多可发货 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
SOT-89 |
32000 |
MITSUBISHI/三菱全新特价RD01MUS2即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
MITSUBISHI |
24+ |
VQFN |
7850 |
只做原装正品现货或订货假一赔十! |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
22+ |
SOT-89 |
20000 |
只做原装 |
|||
MITSUBISH |
24+ |
SMD |
5500 |
长期供应原装现货实单可谈 |
|||
MITSUBISHI/三菱 |
24+ |
SOT-89 |
66000 |
只售原装现货 |
|||
MITSUBISHI |
SOD-89 |
13600 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
MITSUBISHI/三菱 |
25+ |
SOT-89 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
SMD |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
MITSUBISHI/三 |
24+ |
SOT-89 |
39500 |
进口原装现货 支持实单价优 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司 专业一站式全套配单服务 联系电话0755-23140719/15323480719（微信同号）
2019-1-9
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