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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 |  |   | |
SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.35Vtyp.(atIC=50A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=74nstyp.(atIC=30A,VCE=400V,VGE=15V,Rg | RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司 | | | |
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| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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2019-1-14
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