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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg

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Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

Features Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) = 1.35 V typ. (at IC = 50 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C) Built in fast recovery diode in one package Trench gate and thin wafer technology High speed switching tf = 74 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg

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更新时间:2025-12-20 10:08:01
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RenesasElectronics
24+
NA
3462
进口原装正品优势供应
Renesas(瑞萨)
24+
标准封装
12048
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
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2024+
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柒号只做原装 现货价秒杀全网
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全新原装正品现货,支持订货
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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TO3P
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原厂渠道,现货配单
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原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO
RENESAS
24+
TO-3P
3000
全新原装环保现货
RENESAS
2025+
TO-3P
4755
全新原厂原装产品、公司现货销售
MIT
25+
原厂原封装
86720
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔

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