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PTFB201402FCV1R0	HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB201402FCV1R0XTMA1	HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB201402FCV1R250	HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFB201402FCV1R250XTMA1	HighPowerRFLDMOSFieldEffectTransistor Description ThePTFB201402FCintegratestwo70WLDMOSFETsintooneopen-cavityceramicpackage.ItisdesignedprimarilyforDohertycellularamplifierapplicationsinthe2010to2025MHzfrequencyband.ManufacturedwithInfineon’sadvancedLDMOSprocess,thisdeviceoffersexcellentthermal	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

PTFB201402FCV1产品属性

类型
描述
型号
PTFB201402FCV1
功能描述
射频MOSFET电源晶体管
RoHS
否
制造商
Freescale Semiconductor
配置
Single
频率
1800 MHz to 2000 MHz
增益
27 dB
输出功率
100 W
封装/箱体
NI-780-4
封装
Tray

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更新时间：2024-6-23 17:58:00

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深圳市宏捷佳电子科技有限公司	PTFB201402FC-V1-R250	Wolfspeed, Inc.	24+	H-37248-4	9350	独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证	询价
深圳市宝隆宏业科技有限公司	PTFB201602E	INFINEON/英飞凌	22+	NA	10500	只有原装低价实单必成	询价
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