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PTFB201402FCV1R250XTMA1中文资料

厂家型号

PTFB201402FCV1R250XTMA1

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14

功能描述

High Power RF LDMOS Field Effect Transistor

射频MOSFET电源晶体管

数据手册

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生产厂商

INFINEON

PTFB201402FCV1R250XTMA1数据手册规格书PDF详情

Description

The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cellular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band. Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal performance and superior reliability.

Features

• Broadband internal matching

• Typical CW performance, 28 V, single side

   - Output power, P1dB = 70 W

   - Efficiency = 56

• Integrated ESD protection

• Excellent thermal stability

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 28 V, 70 W

   (CW) output power, per side

• Pb-free and RoHS-compliant

PTFB201402FCV1R250XTMA1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTFB201402FCV1R250XTMA1

  • 功能描述

    射频MOSFET电源晶体管

  • RoHS

  • 制造商

    Freescale Semiconductor

  • 配置

    Single

  • 频率

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益

    27 dB

  • 输出功率

    100 W

  • 封装/箱体

    NI-780-4

  • 封装

    Tray

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
25+
H-37248-4
26
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Infineon Technologies
22+
H372484
9000
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23+
H372484
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
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7000
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5000
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23+
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20000
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INFINEON/英飞凌
23+
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