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PTFA210451E	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz 文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTF210451	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance	Infineon 英飞凌	Infineon
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PTF210451E	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz 文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTF210451F	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz 文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-12-24 23:51:01

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2025-5-22
PT908-7C-F
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2019-10-29