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PTF210451F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance

Infineon

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封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 包装:托盘 描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

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LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

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PTF210451F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTF210451F

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz

更新时间:2025-12-24 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEO
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80000
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INFINEON
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2030
全新原装100真实现货供应
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INFINEON
24+
高频
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON/英飞凌
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
24+
3000
公司存货
Infineon Technologies
22+
H312652
9000
原厂渠道,现货配单

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