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PTF210451F

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

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INFINEON

英飞凌

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 包装:托盘 描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

INFINEON

英飞凌

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance

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LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

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PTF210451F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTF210451F

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz

更新时间:2026-8-2 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Bourns Inc.
25+
N/A
21000
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
BOURNS
25+
插件
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5000
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INFINEON
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H-31265-2
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一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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