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PTFA210451E	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz 文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
PTF210451	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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PTF210451F	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz 文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

类型
描述
型号
PTFA210451E
制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 – 2025 MHz and 2110 – 2170 MHz

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更新时间：2026-8-2 23:01:00

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PTH05050WAH 800000PCS
2025-5-22
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2021-3-19
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深圳市励芯恒智能科技有限公司原装正品，假一赔十！
2020-11-3
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1 Output SMD/SMT 非隔离式DC/DC转换器， 0 V to 20 kV 非隔离式DC/DC转换器， Through Hole 3.3 V 非隔离式DC/DC转换器， 9 V to 36 V 非隔离式DC/DC转换器， 5 V 非隔离式DC/DC转换器， 18 V to 28 V 1 Output 非隔离式DC/DC转换器
2020-2-26
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2019-10-29