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PTF210451	LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor45W,2110-2170MHz Description ThePTF210451isa45WinternallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Internalmatchingforwidebandperformance •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTF210451E	LDMOSRFPowerFieldEffectTransistor45W,2110-2170MHz Description ThePTF210451isa45WinternallymatchedGOLDMOSFETintendedforWCDMAapplicationsfrom2110to2170MHz.Fullgoldmetallizationensuresexcellentdevicelifetimeandreliability. Features •Internalmatchingforwidebandperformance •Typicaltwo–carrierWCDMAperformance	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTF210451E	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs45W,2010??2025MHzand2110??2170MHz 文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTF210451E V1	封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线包装：托盘描述：IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTF210451F	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs45W,2010??2025MHzand2110??2170MHz 文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTF210451F V1	封装/外壳：2-扁平封装，叶片引线，带法兰包装：托盘描述：IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
PTFA210451E	Thermally-EnhancedHighPowerRFLDMOSFETs45W,2010??2025MHzand2110??2170MHz 文件：263.08 Kbytes Page：10 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

PTF210451产品属性

类型
描述
型号
PTF210451
制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

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更新时间：2024-6-23 19:09:00

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