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PTF210451

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance

Infineon

英飞凌

LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

Description The PTF210451 is a 45 W internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Internal matching for wideband performance • Typical two–carrier WCDMA performance

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

文件:263.08 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线 包装:托盘 描述:IC FET RF LDMOS 45W H-30265-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:2-扁平封装,叶片引线,带法兰 包装:托盘 描述:IC FET RF LDMOS 45W H-31265-2 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

Infineon

英飞凌

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 45 W, 2010 ??2025 MHz and 2110 ??2170 MHz

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英飞凌

PTF210451产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    PTF210451

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz

更新时间:2025-8-10 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEO
24+
高频
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
INFINEON
1844+
NA
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
Infineon
24+
SMD
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON/英飞凌
2019+
SMD
6992
原厂渠道 可含税出货
LNFINEON
23+
TO-59
8510
原装正品代理渠道价格优势
24+
3000
公司存货
Infineon
24+
SMD
5000
全新原装正品,现货销售
INFINEON
20+
高频
9986
INFINEON/英飞凌
25+
SMD
860000
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON
23+
TO-63
7000

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