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PTF210301A	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz Description The PTF210301 is a 30 W, internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Broadband internal matching • Typical two–carrier WCDMA performance - Average out	Infineon 英飞凌	Infineon
PTF210301A	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz	Infineon 英飞凌	Infineon
PTF210301	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz Description The PTF210301 is a 30 W, internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Broadband internal matching • Typical two–carrier WCDMA performance - Average out	Infineon 英飞凌	Infineon
PTF210301E	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz Description The PTF210301 is a 30 W, internally matched GOLDMOS FET intended for WCDMA applications from 2110 to 2170 MHz. Full gold metallization ensures excellent device lifetime and reliability. Features • Broadband internal matching • Typical two–carrier WCDMA performance - Average out	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFA210301E	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 30 W, 2110-2170 MHz 文件：198.94 Kbytes Page：9 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-12-29 12:00:00

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2025-5-22
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2019-10-29