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SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching

SiliconNChannelIGBTHighSpeedPowerSwitching Features Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiodeinonepackage Trenchgateandthinwafertechnology Highspeedswitching tf=80nstyp.(atIC=

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600V-30A-IGBTHighSpeedPowerSwitching

Features ●Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.4Vtyp.(atIC=30A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Trenchgateandthinwafertechnology ●Highspeedswitching

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更新时间:2025-7-28 23:00:01
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