| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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30V N-Channel Power Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on resistance Low gate charge Fast switching Low reverse transfer capacitances | UMW 友台半导体 |   | ||
30V N-Channel Power General Description These N-channel enhancement mode power mosfets used advanced trench technology design, provided excellent Rdson and low gate charge. Which accords with the RoHS standard. Features VDS = 30V,ID =90A RDS(ON),3.9 mΩ(Typ) @ VGS =10V RDS(ON), 6.5mΩ(Typ) @ VGS =4.5V Low on | EVVOSEMI 翊欧 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01839 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
30A竊?0V N-CHANNEL MOSFET 文件：235.42 Kbytes Page：5 Pages | KIA 可易亚半导体 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.0152 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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24+ |
TO-252 |
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三极管/MOS管/晶体管 > 场效应管(MOSFET) |
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