PHP4ND40E产品参数描述

时间:2022-6-15 16:28:00

PHP4ND40E

参数名称 属性值

零件包装代码 TO-220AB

包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

针数 3

Reach Compliance Code compliant

ECCN代码 EAR99

其他特性 FREDFET, FAST SWITCHING

雪崩能效等级(Eas) 190 mJ

外壳连接 DRAIN

配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压 400 V

最大漏极电流 (Abs) (ID) 4.4 A

最大漏极电流 (ID) 4.4 A

最大漏源导通电阻 1.8 Ω

FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码 TO-220AB

JESD-30 代码 R-PSFM-T3

JESD-609代码 e3

元件数量 1

端子数量 3

工作模式 ENHANCEMENT MODE

最高工作温度 150 °C

封装主体材料 PLASTIC/EPOXY

封装形状 RECTANGULAR

封装形式 FLANGE MOUNT

极性/信道类型 N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs) 83 W

最大脉冲漏极电流 (IDM) 18 A

认证状态 Not Qualified

表面贴装 NO

端子面层 TIN

端子形式 THROUGH-HOLE

端子位置 SINGLE

晶体管应用 SWITCHING

晶体管元件材料 SILICON

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

PowerMOS transistors FREDFET, Avalanche energy rated

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips
2025-8-3 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
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