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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
PHB50N06T

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

GENERALDESCRIPTION N-channelenhancementmodestandardlevelfield-effectpowertransistorinaplasticenvelopesuitableforsurfacemounting.Using’trench’technologythedevicefeaturesverylowon-stateresistanceandhasintegralzenerdiodesgivingESDprotectionupto2kV.Itisintended

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

PHB50N06T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC
50N06

50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC50N06isthree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityofabout50A,fastswitchingspeed.Lowon-stateresistance,breakdownvoltageratingof60V,andmaxthresholdvoltagesof4volt.Itismainlysuitableelectronicballast,andlowpowerswitchingmod

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
50N06

50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

文件：330.9 Kbytes Page：8 Pages

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC
50N06

50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件：812.59 Kbytes Page：10 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH
50N06

50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件：808.72 Kbytes Page：10 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH
50N06

50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

文件：807.77 Kbytes Page：10 Pages

WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH

PHB50N06T供应商更多...

更新时间：2025-8-4 17:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市昌和盛利电子有限公司
PHB55N03LT
PHI
23+
TO263
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PHB55N03LT
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PHB55N03LT
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PHB55N03LT
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深圳良洲科技有限公司
PHB50W-0850-56-S
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