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PHB50N06T

TrenchMOStransistorStandardlevelFET

ETC

知名厂家

PHB50N06T

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=55V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=24mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·DC-to-DCConverter ·GeneralIndustrialApplications ·PowerMotorControl

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheUTC50N06isthree-terminalsilicondevicewithcurrentconductioncapabilityofabout50A,fastswitchingspeed.Lowon-stateresistance,breakdownvoltageratingof60V,andmaxthresholdvoltagesof4volt.Itismainlysuitableelectronicballast,andlowpowerswitchingmod

UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

50Amps,60VoltsN-CHANNELPOWERMOSFET

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UTCUnisonic Technologies

友顺友顺科技股份有限公司

UTC

50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH

50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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WXDHJiangsu Donghai Semiconductor Technology Co.,Ltd

东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

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50A60VN-channelEnhancementModePowerMOSFET

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东海半导体江苏东海半导体股份有限公司

WXDH
更新时间:2025-5-20 22:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHILIPS
23+
TO263
6500
全新原装假一赔十
N
23+
SOT404(D
6000
原装正品,支持实单
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297
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