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PHB50N06T中文资料

厂家型号

PHB50N06T

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8

功能描述

TrenchMOS transistor Standard level FET

数据手册

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生产厂商

PHI

PHB50N06T数据手册规格书PDF详情

GENERAL DESCRIPTION

N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting. Using ’trench’ technology the device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended for use in DC-DC converters and general purpose switching applications.

更新时间:2025-11-25 14:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PHI
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PHI
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