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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)

SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters

IRF

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.1Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

SMPS MOSFET

SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters

IRF

2.3A 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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FCI

富加宜

High frequency DC-DC converters

文件:284.75 Kbytes Page:12 Pages

IRF

更新时间:2025-10-17 22:59:01
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