| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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FMM23N20 | 2.3A20VN-ChannelEnhancement-ModeMOSFET 文件：123.22 Kbytes Page：3 Pages | FCI Amphenol ICC |  |   |
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=24A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.1Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |  | | |
PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)max=0.10ohm,Id=24A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 |  | | |
SMPSMOSFET SMPSMOSFET Benefits ●LowGate-to-DrainChargetoReduce SwitchingLosses ●FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) ●FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications ●HighfrequencyDC-DCconverters | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
HighfrequencyDC-DCconverters 文件：284.75 Kbytes Page：12 Pages | IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司 | | |
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2019-4-16
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