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IRFB23N20DPBF	SMPS MOSFET SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters	IRF	IRF
IRFB23N20DPBF	High frequency DC-DC converters 文件：284.75 Kbytes Page：12 Pages	IRF	IRF
IRFB23N20D	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A) SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters	IRF	IRF
IRFB23N20D	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID=24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.1Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.	ISC 无锡固电	ISC
FMM23N20	2.3A 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET 文件：123.22 Kbytes Page：3 Pages	FCI 富加宜	FCI

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更新时间：2025-10-9 23:00:00

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IRF9540SPBF TO-263-3 MOSFET
IRF9540SPBF TO-263-3 MOSFET Vishay 8000pcs
2024-8-25
IRFB3077PBF
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2023-4-14
IRF9540PBF
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2022-12-2
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INFINEON/英飞凌场效应管 IRFB3607PBF
2022-7-23
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2020-4-18
IRFB3607PBF
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