IRFB23N20D价格

参考价格:¥7.0813

型号:IRFB23N20DPBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRFB23N20D多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRFB23N20D批发/采购报价,IRFB23N20D行情走势销售排行榜,IRFB23N20D报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRFB23N20D

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.10ohm, Id=24A)

SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters

IRF

IRFB23N20D

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current -ID=24A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS=200V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) =0.1Ω(Max)@VGS = 10 V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

SMPS MOSFET

SMPS MOSFET Benefits ● Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses ● Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications ● High frequency DC-DC converters

IRF

High frequency DC-DC converters

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IRF

2.3A 20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

文件:123.22 Kbytes Page:3 Pages

FCI

戈采

IRFB23N20D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFB23N20D

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 24A TO-220AB

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-13 23:01:00
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