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位置：NTH4L040N120SC1 > NTH4L040N120SC1详情

厂家型号	NTH4L040N120SC1
文件大小	360.84Kbytes
页面数量	8页
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, TO-247-4L
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ONSEMI

Features

• Typ. RDS(on) = 40 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

NTH4L040N120SC1供应商...

更新时间：2026-2-27 22:59:00

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