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厂家型号	NTH4L028N170M1.
文件大小	253.15Kbytes
页面数量	8页
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET, M1, TO-247-4L 1700 V, 28 mOhm
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ONSEMI

Features

• Typ. RDS(on) = 28 m @ VGS = 20 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 200 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 200 pF)

• 100% Avalanche Tested

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

• UPS

• DC/DC Converter

• Boost Converter

NTH4L028N170M1.供应商...

更新时间：2025-10-11 9:58:00

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