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NTH4L032N065M3S中文资料

厂家型号

NTH4L032N065M3S

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9

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32mohm, 650 V, M3S, TO247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L032N065M3S数据手册规格书PDF详情

Features

• Typical RDS(ON) = 32 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 55 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 114 pF)

• 100% Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Applications

• SMPS, Solar Inverters, UPS, Energy Storage, EV Charging

Infrastructure

更新时间:2025-10-10 8:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
22+
SMD
1250
onsemi
23+
TO-247-4L
1356
原厂正品现货SiC MOSFET全系列
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