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NTH4L040N120SC1_V02中文资料

厂家型号

NTH4L040N120SC1_V02

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8

功能描述

Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40mohm, 1200V, M1, TO-247-4L

数据手册

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生产厂商

ONSEMI

NTH4L040N120SC1_V02数据手册规格书PDF详情

Features

• Typ. RDS(on) = 40 m

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 106 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 137 pF)

• 100 Avalanche Tested

• TJ = 175°C

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• UPS

• DC-DC Converter

• Boost Inverter

更新时间:2025-10-9 8:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ONSEMI
22+
SMD
900
onsemi
21+
16
只做原装,优势渠道 ,欢迎实单联系
ONSemi
24+
TO247-4
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新到现货,只做全新原装正品
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7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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原厂直销,现货供应,账期支持!
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2023+
TO247-4
8800
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。
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9000
只做原装正品 有挂有货 假一赔十
23+
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6800
原装正品,力挺实单
ON/
24+
TO247-4
5000
全新原装正品,现货销售
ON SEMICONDUCTOR
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