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厂家型号	NTH4L040N120M3S_V02
文件大小	357.6Kbytes
页面数量	8页
功能描述	Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 40 mohm, 1200V, M3S, TO-247-4L
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ONSEMI

Features

• Typ. RDS(on) = 40 m @ VGS = 18 V

• Ultra Low Gate Charge (QG(tot) = 75 nC)

• High Speed Switching with Low Capacitance (Coss = 80 pF)

• 100 Avalanche Tested

• This Device is Halide Free and RoHS Compliant with exemption 7a,

Pb−Free 2LI (on second level interconnection)

Typical Applications

• Solar Inverters

• Electric Vehicle Charging Stations

• UPS (Uninterruptible Power Supplies)

• Energy Storage Systems

• SMPS (Switch Mode Power Supplies)

NTH4L040N120M3S_V02供应商...

更新时间：2025-10-9 17:08:00

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